为解决 SiC MOSFET 栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低，使得沟道开态电阻过高，能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题西安交通大学微电子学院耿莉教授，刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作，提出一种使用低温超临界二氧化碳 或超临界一氧化二氮 流体的低温退火工艺，以提高 4H—SiC MOSFET 中 4H—SiC / SiO2 界面的质量

该研究成果不仅实现高质量的 SiO2 / SiC 界面，高的沟道迁移率和介电可靠性，同时，提出的高效低温退火工艺与标准 SiC MOSFET 制造工艺兼容，为制备高性能 SiC MOSFET 器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制备。

闻泰科技12月9日在投资者互动平台表示，安世是全球分立器件IDM龙头厂商之一，在中国功率分立器件公司中排名第MOSFET是公司重要产品类型之一，其中，车规Mos全球市场排名第2，仅次于英飞凌，小信号Mos全球排名第2，仅次安森美。可以看出，公司Mos产品性能突出，市场占有率高，也因产品的高品质，超低不良率成为业界标杆，成为全球各领域众多顶尖客户的首选供应商。从业绩来看，半导体业务上半年收入为673亿元，同比增长525%，业务毛利率为306%，实现净利润110亿元，同比增长2352%，其中Mos也实现了快速增长。从行业层面来看，公司的Mos产品在汽车上应用非常广泛，比如应用在车身控制，电池管理，引擎管理，LED照明等多个方面，汽车电动化与智能化趋势都将给安世产品带来更大的市场空间。无论是传统车还是新能源车，随着汽车上电子部件的增多，公司的Mos产品的单车用量也将持续提升，尤其是在新能源车上实现数倍增长。从业务优势来看，高生产效率，产品超低不良率，稳定的顶尖客户资源，符合车规认证标准等既是现有产品的核心竞争力，也是安世发展新业务，拓展新产品的重要基石，这些核心优势将在公司新产品的生产与销售等环节中进一步延续。同时，公司还成立了安世中国研发中心，加大研发投入，并通过收购具有车规级IGBT工艺能力的Newport晶圆厂进行产能快速扩充，在现有核心优势的基础上，又从研发，产能，工艺等方面进一步构建了公司发展IGBT业务的竞争壁垒。请投资者持续关注公司业务发展动态，相信公司在新产品新业务上的布局与投入未来将会给上市公司带来可观回报。