中国研究所成功研制国际大容量抗辐射反熔丝PROM存储器
发布时间：2022-01-11 05:42 来源：IT之家 阅读量：14134 会员投稿
北京微电子技术研究所消息显示，最近几天，中国航天科技集团公司九院 772 所率先提出基于栅氧反熔丝技术研制抗辐射 PROM 的技术路线，研制出国际最大容量抗辐射反熔丝 PROM 存储器，产品存储容量达到 128Mbit，可满足 Virtex5 系列和 Kintex7 系列主流 FPGA 配置需求，提供了一条自主创新，自主可控的大容量 FPGA 配置解决方案。
根据消息显示，772 所基于国际最先进的栅氧化层反熔丝技术，突破高可靠反熔丝单元设计，高一致性编程技术和抗辐射设计加固等关键技术，建立了大容量抗辐射反熔丝存储器技术平台，具有工艺稳定，一致性高和成本低等显著优势，将宇航级 PROM 容量成本从上千元 / Kb 大幅降低至 1 元 / Kb 以内，满足新一代航天型号对大容量，高可靠，低成本反熔丝存储器的需求。在升级后，多个网友表示，ProMotion已经发挥作用，并改善了他们设备上的Safari体验。。
772 所已建成谱系化的 PROM 产品体系，产品容量范围覆盖 64Kbit~128Mbit，接口位宽覆盖 1，8，32，40，已进入航天五院优选目录并广泛服役于多个在轨型号平台发展潜力巨大，在研产品最高容量达 256Mbit
。（责编：许一诺）
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